安正华

研究员

2004年中国科学院上海微系统与信息技术研究所博士 

电话：+86-21-31243291

Email: anzhenghua@fudan.edu.cn

个人网站/Website：链接/Link 

主要经历:
1995.8-1999.7南京大学理科强化班

1999.9-2004.1中国科学院上海微系统与信息技术研究所工学硕博士

2002.5-2003.4香港城市大学物理与材料系研究助理

2004.2- 2007.4日本东京大学日本科学与振兴机构JST特别研究员

2007.6-至今beat365手机官方网站物理系及先进材料实验室

教学与研究领域:
1.微纳加工

       负责beat365手机官方网站校级公共平台微纳加工与器件实验室的建设与运转；采用先进的微纳米加工技术(电子束曝光、聚焦离子束等)制备凝聚态物理等前沿交叉学科所需的各种电输运、光微腔、生物传感等微纳米器件。

2.纳米光（电）子学

       基于微纳米加工实验条件，研究低维半导体量子结构与亚波长金属耦合体系的基本物性，特别是利用亚波长金属提高光与物质相互作用方面的物理机制和规律，探索亚波长光学在新型高性能光（电）子学器件方面的应用，包括纳米激光、红外探测、红外近场成像等。

Zhenghua An

Professor

Ph.D（2004）, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences (SIMIT, CAS)

Research Interests:
Nanofabrication; low dimensional semi- conductors; optoelectronics; nano- photonics; subwavelength metallic plasmonics.

Selected Publications:
(1)H.Wang, Zhenghua An, et al Optimi- zation of Optoelectronic Plasmonic Structures, Plasmonics, 6, 319 (2011).

(2)Zhenghua An, et al Lithographic quantum dot for sensitive infrared photon detection, Physica Status Solidi C, 6, 936 (2009). Front Cover.

(3)Zhenghua An, et al Metastable excited states of a closed quantum dot with high sensitivity to infrared photons, Phys. Rev. B 75, 085417 (2007).

(4)Zhenghua An, et al Reset Operation of Quantum-Well Infrared Phototransistors, IEEE Transactions on Electron Devices, 54, 1776 (2007).

(5)Zhenghua An, et al Infrared photo- transistor using capacitively coupled two-dimensional electron gas layers, Appl. Phys. Lett. 86, 172106 (2005).

(6)Zhenghua An, et al Oxygen Profile Engineering in Silicon by Germanium Addition and High Temperature Annea- ling, Appl. Phys. Lett. 83, 305 (2003).

(7)Zhenghua An, et al Relaxed Silicon- Germanium-on-Insulator Substrates by Oxygen Implantation into Pseudo- morphic Silicon Germanium / Silicon Heterostructure, Appl. Phys. Lett. 82, 2452 (2003).